IPC100N04S5L1R1ATMA1 vs IPC70N04S5L4R2ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPC100N04S5L1R1ATMA1 tarafından Infineon ve IPC70N04S5L4R2ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPC100N04S5L1R1ATMA1 IPC70N04S5L4R2ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-5 40 V —
Transistor Türü N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
On-Resistance RDS(on) max 1.1 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC 150 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Logic Level —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C —
Paket PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) PG-TDSON-8-34 (Surface Mount)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi MSL1 (unlimited floor life, 260 °C peak reflow) MSL1 (up to 260°C peak reflow)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
Avalanche Tested 100% avalanche tested 100% (60 A production test)
RoHS Compliance Green Product (RoHS compliant) —
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C — 70 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C — 50 W
R_DS(on) Max @ Vgs=10V — 4.2 mΩ (typ)
Gate Threshold (Vgs(th)) — Logic Level (4.5 V max Rds On, Min Rds On)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 4.5 V
Operating Temperature (Tj) — -55°C to +175°C
RoHS Durumu — Compliant (Green Product)
Configuration — Single with Built-in Diode
Case Connection — DRAIN

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin