IPC70N04S5L4R2ATMA1 vs IPB120N04S402ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPC70N04S5L4R2ATMA1 tarafından Infineon ve IPB120N04S402ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPC70N04S5L4R2ATMA1 IPB120N04S402ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel N-Channel, Enhancement Mode
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 70 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 50 W —
R_DS(on) Max @ Vgs=10V 4.2 mΩ (typ) —
Gate Threshold (Vgs(th)) Logic Level (4.5 V max Rds On, Min Rds On) —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5 V —
Paket PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) PG-TO263-3 (D2PAK)
Operating Temperature (Tj) -55°C to +175°C —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi MSL1 (up to 260°C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Avalanche Tested 100% (60 A production test) —
RoHS Durumu Compliant (Green Product) —
Configuration Single with Built-in Diode —
Case Connection DRAIN —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-T2
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, TC) — 120 A
Power Dissipation (PD, TC) — 158 W
RDS(on) (typ @ VGS=10 V) — 1.8 mΩ
Pin Sayısı — 3 (2 + Tab)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 °C to +175 °C
Maximum Junction Temperature — 175 °C
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Avalanche Energy Rating — 100% Avalanche Tested
Nem Hassasiyet Seviyesi (MSL) — MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow)
RoHS Compliance — Green Product (RoHS compliant)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin