IPD031N06L3GATMA1 vs IPG20N10S436AATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD031N06L3GATMA1 tarafından Infineon ve IPG20N10S436AATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPD031N06L3GATMA1 - 60V 100A 3.1mΩ N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
IPD031N06L3GATMA1 ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD031N06L3GATMA1 | IPG20N10S436AATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 400 A | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 167 W | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 3.1 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.2 V | — |
| Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) | 4.5 V, 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) Typ | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55°C to +175°C | — |
| Paket | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| MSL Seviyesi | 1 (Unlimited) | MSL1 (260 C peak reflow) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant (Green Product) |
| Configuration | — | Dual N-Channel (2 Elements with Built-in Diode) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (per channel) |
| Total Power Dissipation (PD) | — | 43 W |
| Operating Mode | — | Enhancement Mode |
| Operating Temperature (TJ max) | — | +175 C |
| JESD-609 Code | — | e3 |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Avalanche Tested | — | 100% |
| AOI Compatible | — | Yes (Wettable Flank) |
| Channel Type | — | N-Channel Normal Level |