IPD30N10S3L34ATMA1 vs IPD30N08S2L21ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD30N10S3L34ATMA1 tarafından Infineon ve IPD30N08S2L21ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPD30N10S3L34ATMA1 - 100V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon
IPD30N10S3L34ATMA1 ✓ AktifInfineon
IPD30N08S2L21ATMA1 - 75V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET DPAK | Infineon
IPD30N08S2L21ATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD30N10S3L34ATMA1 | IPD30N08S2L21ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-T2 | — |
| Transistor Türü | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 180 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 57 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) | 31 mΩ @ VGS=10 V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) | 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V) | — |
| Total Gate Charge (Qg typ) | 23 nC | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55°C to +175°C | — |
| Paket | PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63) | PG-TO252-3-11 (DPAK-2) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| MSL Seviyesi | 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow) | 1 |
| RoHS / REACH | Compliant | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / Yes | — |
| Avalanche Rated | 100% Avalanche tested | — |
| Series | — | OptiMOS |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 30 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10 V | — | 26 milliohm (typ) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | Logic-level (L series) |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 56 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 136 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +175C |
| Maximum Junction Temperature | — | +175C |
| Pin Sayısı | — | 3 (Drain tab + Gate + Source) |
| RoHS Durumu | — | Compliant |