IPD60R180P7ATMA1 vs IPD65R380E6ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD60R180P7ATMA1 tarafından Infineon ve IPD65R380E6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD60R180P7ATMA1 | IPD65R380E6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS P7 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) N-channel MOSFET | Superjunction (CoolMOS™) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 18 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 180 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Total Power Dissipation (PD) at TC=25C | 72 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55C to +150C | — |
| Paket | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | 1 (unlimited) | 1 |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Shipping Package | Tape and Reel (ATMA1 suffix) | — |
| Series | — | CoolMOS™ E6 |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | 10.6 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 380 mΩ |
| R_DS(on) test conditions | — | 3.2 A, 10 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.5 V typ |
| Gate Charge (Q_G) | — | 39 nC at 10 V |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 710 pF at 100 V |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | — | 83 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 °C to +150 °C |