IPD60R180P7ATMA1 vs IPD65R380E6ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD60R180P7ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD65R380E6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 - 600V 180mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R180P7ATMA1 - 600V 180mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R180P7ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD60R180P7ATMA1 IPD65R380E6ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (SJ) N-channel MOSFET Superjunction (CoolMOS™)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 18 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 180 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Total Power Dissipation (PD) at TC=25C 72 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +150C —
پیکیج PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 (unlimited) 1
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Shipping Package Tape and Reel (ATMA1 suffix) —
Series — CoolMOS™ E6
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) — 650 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 10.6 A
R_DS(on) max at V_GS=10V — 380 mΩ
R_DS(on) test conditions — 3.2 A, 10 V
Gate-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3.5 V typ
Gate Charge (Q_G) — 39 nC at 10 V
Input Capacitance (C_iss) — 710 pF at 100 V
Power Dissipation (P_D) at T_C — 83 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 °C to +150 °C

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں