IPD60R180P7ATMA1 vs IPD65R380E6ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD60R180P7ATMA1 מאת Infineon ו IPD65R380E6ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPD60R180P7ATMA1 | IPD65R380E6ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS P7 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) N-channel MOSFET | Superjunction (CoolMOS™) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 18 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 180 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Total Power Dissipation (PD) at TC=25C | 72 W | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55C to +150C | — |
| מארז | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| רמת MSL | 1 (unlimited) | 1 |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Shipping Package | Tape and Reel (ATMA1 suffix) | — |
| Series | — | CoolMOS™ E6 |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | 10.6 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 380 mΩ |
| R_DS(on) test conditions | — | 3.2 A, 10 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.5 V typ |
| Gate Charge (Q_G) | — | 39 nC at 10 V |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 710 pF at 100 V |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | — | 83 W |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55 °C to +150 °C |