IPD65R380E6ATMA1 vs IPD60R360P7SAUMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD65R380E6ATMA1 tarafından Infineon ve IPD60R360P7SAUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD65R380E6ATMA1 | IPD60R360P7SAUMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS™ E6 | CoolMOS P7 |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | Superjunction (CoolMOS™) | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 650 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | 10.6 A | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 380 mΩ | — |
| R_DS(on) test conditions | 3.2 A, 10 V | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 3.5 V typ | — |
| Gate Charge (Q_G) | 39 nC at 10 V | — |
| Input Capacitance (C_iss) | 710 pF at 100 V | — |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | 83 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +150 °C | -55C to +150C (junction) |
| Paket | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 9 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 360 mOhm (typ, VGS = 10 V) |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 41 W |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.0 V to 4.5 V (typ) |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Paket / Kas | — | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Pin Sayısı | — | 3 |
| Channel Type | — | N-Channel |