IPD70N10S312ATMA1 vs IPD35N10S3L26ATMA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD70N10S312ATMA1 tarafından Infineon ve IPD35N10S3L26ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD70N10S312ATMA1 IPD35N10S3L26ATMA2
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number IPD70N10S312ATMA1 —
Product Family OptiMOS-T Power-Transistor OptiMOS-T
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 70 A 35 A
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 125 W —
On-State Resistance (RDS(on)) 11.1 mΩ @ 70 A, 10 V VGS —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Input Capacitance (Ciss) 4355 pF @ 25 V —
Total Gate Charge (Qg) 65 nC @ 10 V —
Operating Temperature (TJ) -55 °C to +175 °C —
Paket PG-TO252-3-11 (DPAK, 2 Leads + Tab) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi MSL1 (up to 260 °C peak reflow) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Avalanche Tested 100 % (per datasheet) —
RoHS Compliance Green product, RoHS compliant —
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max — 24 mOhm
Power Dissipation (Ptot, Tc) — 71 W
Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> — [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Pin Sayısı — 3 (Drain, Source, Gate + tab)
Technology — Trench MOSFET (OptiMOS-T)
RoHS Durumu — Compliant
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin