IPD70N10S312ATMA2 vs IPD70N10S312ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD70N10S312ATMA2 tarafından Infineon ve IPD70N10S312ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD70N10S312ATMA2 IPD70N10S312ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IPD70N10S312ATMA2 IPD70N10S312ATMA1
Technology OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 70 A 70 A
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) 125 W —
On-State Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V] —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th)]
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C —
Paket PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK, 2 Leads + Tab)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) —
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
RoHS Durumu Compliant —
MSL Seviyesi 1 (unlimited floor life) MSL1 (up to 260 °C peak reflow)
Avalanche Rated Yes —
Product Family — OptiMOS-T Power-Transistor
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Pulsed Drain Current (IDM) — 180 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 125 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 11.1 mΩ @ 70 A, 10 V VGS
Input Capacitance (Ciss) — 4355 pF @ 25 V
Total Gate Charge (Qg) — 65 nC @ 10 V
Operating Temperature (TJ) — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101
Avalanche Tested — 100 % (per datasheet)
RoHS Compliance — Green product, RoHS compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin