IPD70N10S312ATMA2 vs IPD70N10S312ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD70N10S312ATMA2 بذریعہ Infineon اور IPD70N10S312ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD70N10S312ATMA2 | IPD70N10S312ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | IPD70N10S312ATMA2 | IPD70N10S312ATMA1 |
| Technology | OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 70 A | 70 A |
| Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) | 125 W | — |
| On-State Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C | — |
| پیکیج | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK, 2 Leads + Tab) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پن کی تعداد | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| MSL لیول | 1 (unlimited floor life) | MSL1 (up to 260 °C peak reflow) |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Product Family | — | OptiMOS-T Power-Transistor |
| FET Type | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 180 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 125 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 11.1 mΩ @ 70 A, 10 V VGS |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 4355 pF @ 25 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 65 nC @ 10 V |
| Operating Temperature (TJ) | — | -55 °C to +175 °C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Avalanche Tested | — | 100 % (per datasheet) |
| RoHS Compliance | — | Green product, RoHS compliant |