IPD78CN10NGATMA1 vs IPD90N04S403ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD78CN10NGATMA1 tarafından Infineon ve IPD90N04S403ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD78CN10NGATMA1 IPD90N04S403ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 2 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 13 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 78 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge Qg Typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) Max at Tc=25C 31 W —
Operating Junction Temperature Max 175 C —
Paket / Kas PG-TO252-3 (DPAK) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) + Tab —
Lead Plating Pb-free (Matte Tin) —
RoHS Compliance Compliant Compliant (Green Package)
JEDEC Qualification Qualified per JEDEC1 for target application —
Technology OptiMOS 2 Power-Transistor Trench MOSFET (OptiMOS-T2)
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (peak reflow up to 260C)
Product Family — OptiMOS-T2
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 90 A
On-State Resistance (R_DS(on)) — 3.2 mOhm typical at V_GS = 10 V
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) — 94 W
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Paket — PG-TO252-3-313 (DPAK)
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +175C
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
Avalanche Tested — 100% avalanche-tested

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin