IPD90N04S403ATMA1 vs IPC70N04S5L4R2ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD90N04S403ATMA1 tarafından Infineon ve IPC70N04S5L4R2ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD90N04S403ATMA1 IPC70N04S5L4R2ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-T2 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 90 A —
On-State Resistance (R_DS(on)) 3.2 mOhm typical at V_GS = 10 V —
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) 94 W —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Paket PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TDSON-8-34 (Surface Mount)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C —
MSL Seviyesi MSL1 (peak reflow up to 260C) MSL1 (up to 260°C peak reflow)
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
Avalanche Tested 100% avalanche-tested 100% (60 A production test)
RoHS Compliance Compliant (Green Package) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS-T2) MOSFET (Metal Oxide)
FET Type — N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C — 70 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C — 50 W
R_DS(on) Max @ Vgs=10V — 4.2 mΩ (typ)
Gate Threshold (Vgs(th)) — Logic Level (4.5 V max Rds On, Min Rds On)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 4.5 V
Operating Temperature (Tj) — -55°C to +175°C
Automotive Qualification — AEC-Q101
RoHS Durumu — Compliant (Green Product)
Configuration — Single with Built-in Diode
Case Connection — DRAIN

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin