IPG16N10S461AATMA1 vs BSC0902NSIATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPG16N10S461AATMA1 tarafından Infineon ve BSC0902NSIATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPG16N10S461AATMA1 BSC0902NSIATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Type Dual N-Channel MOSFET Array —
Technology OptiMOS™ trench —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) 16 A —
On-Resistance R_DS(on) typ. 61 mΩ —
Total Power Dissipation (Ptot) 29 W (T_C = 25°C) —
Configuration 2 N-Channel (Dual, separate) —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C -55C to +150C (junction)
Paket PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) PG-TDSON-8-6 (TDSON-8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Terminal Count 8 —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS Durumu Compliant Compliant
Built-in Body Diode Yes —
Channel Mode Enhancement —
Product Family — OptiMOS 30V
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.8 mOhm
Gate Charge QG(0V..10V) — 24 nC
Output Charge QOSS — 17 nC
Power Dissipation (TA) — 2.5 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
Built-in Diode — Yes (single with built-in diode)
Lead-Free — Yes
Klorürsüz — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin