IPG20N06S2L65ATMA1 vs BSC036NE7NS3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPG20N06S2L65ATMA1 tarafından Infineon ve BSC036NE7NS3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPG20N06S2L65ATMA1 IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual N-Ch 55V 20A MOSFET | Infineon

IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual N-Ch 55V 20A MOSFET | Infineon

IPG20N06S2L65ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPG20N06S2L65ATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type Dual N-Channel, Logic Level N-Channel
Technology OptiMOS-T2 (Planar Trench 55V) —
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 75 V
Continuous Drain Current (ID) 20 A per channel —
RDS(on) at VGS=10V 65 mΩ typical —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.5 V (logic level) —
Total Power Dissipation (Ptot) 43 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +175°C -55C to +175C
Paket PG-TDSON-8-4 (TDSON-8 EP) PG-TDSON-8-7 (5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi MSL1 (260°C peak reflow) 1
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
RoHS Compliance RoHS Compliant (Green Product) —
Packaging Tape & Reel (TMA1 suffix) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 400 A
On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) — 3.6 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 2.6 V
Total Gate Charge (Qg typ @ VGS=10V) — 45 nC
Rise Time (tr typ) — 13 ns
Fall Time (tf typ) — 11 ns
Power Dissipation (PD max, Tc=25C) — 156 W
Power Dissipation (Ta=25C) — 2.5 W
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — 0.8 C/W
RoHS Durumu — ROHS3 Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin