IPG20N06S2L65ATMA1 vs BSC036NE7NS3GATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPG20N06S2L65ATMA1 מאת Infineon ו BSC036NE7NS3GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
BSC036NE7NS3GATMA1 - 75V 100A N-Channel OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
BSC036NE7NS3GATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IPG20N06S2L65ATMA1 | BSC036NE7NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | Dual N-Channel, Logic Level | N-Channel |
| Technology | OptiMOS-T2 (Planar Trench 55V) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A per channel | — |
| RDS(on) at VGS=10V | 65 mΩ typical | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.5 V (logic level) | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 43 W | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55°C to +175°C | -55C to +175C |
| מארז | PG-TDSON-8-4 (TDSON-8 EP) | PG-TDSON-8-7 (5x6 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| רמת MSL | MSL1 (260°C peak reflow) | 1 |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 Qualified | — |
| RoHS Compliance | RoHS Compliant (Green Product) | — |
| Packaging | Tape & Reel (TMA1 suffix) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 400 A |
| On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) | — | 3.6 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | 2.6 V |
| Total Gate Charge (Qg typ @ VGS=10V) | — | 45 nC |
| Rise Time (tr typ) | — | 13 ns |
| Fall Time (tf typ) | — | 11 ns |
| Power Dissipation (PD max, Tc=25C) | — | 156 W |
| Power Dissipation (Ta=25C) | — | 2.5 W |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | — | 0.8 C/W |
| סטטוס RoHS | — | ROHS3 Compliant |