IPG20N10S4L35ATMA1 vs IPG20N06S2L65AATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPG20N10S4L35ATMA1 tarafından Infineon ve IPG20N06S2L65AATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPG20N10S4L35ATMA1 | IPG20N06S2L65AATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPG20N10S4L35ATMA1 | — |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) | Dual N-Channel (Half Bridge / Independent) |
| FET Feature | Logic Level Gate | — |
| Drain-to-Source Voltage (V<sub>DSS</sub>) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at 25°C | 20 A | — |
| R<sub>DS(on)</sub> Max | 35 mΩ @ V<sub>GS</sub>=10 V, I<sub>D</sub>=17 A | — |
| Gate Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) | [DATA_NEEDED: typical Vgs(th) value] | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | 43 W | — |
| İşletim Sıcaklığı | 175°C max junction | -55 C to +175 C |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Paket / Kas | PG-TDSON-8-4 (8-Pin TDSON EP) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| MSL Seviyesi | MSL1 (up to 260°C peak reflow) | MSL1 (peak reflow 260 C) |
| Series | OptiMOS™, Automotive | OptiMOS |
| RoHS Durumu | Compliant (Green Product) | Compliant (Green Product) |
| Avalanche Rated | 100% Avalanche Tested | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (per channel) |
| Power Dissipation (PD) | — | 43 W |
| Gate Threshold (VGS(th)) | — | Logic-Level |
| Technology | — | OptiMOS Trench MOSFET |
| Paket | — | PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank) |
| AEC-Q101 Qualification | — | Yes |
| Avalanche Tested | — | 100% (per datasheet) |
| AOI Compatible | — | Yes (wettable flank) |