IPL60R060CFD7AUMA1 vs IPD60R210PFD7SAUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPL60R060CFD7AUMA1 tarafından Infineon ve IPD60R210PFD7SAUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPL60R060CFD7AUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS™ CFD7 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 40 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 219 W —
R_DS(on) (max) at V_GS = 10 V 60 mΩ —
R_DS(on) (typ, datasheet) 48 mΩ —
Gate Charge (Q_G, typ) at V_GS = 10 V 79 nC —
Input Capacitance (C_iss) 3193 pF —
Output Capacitance (C_oss) 62 pF —
Gate-Source Voltage (V_GS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) 4.5 V —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40 °C to +150 °C -55C to +150C (TJ)
Paket PG-VSON-4-1 (Surface Mount) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount (SMT)
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL Level] —
RoHS Durumu Compliant —
Product Family — CoolMOS PFD7
Technology — Superjunction (CoolMOS) N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 16 A
On-Resistance (RDS(on), max) — 210 mOhm
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) — 64 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 3.5 V
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Package Type — TO-252 (DPAK)
Manufacturer Package Designator — PG-TO252-3-344
Pin Configuration — 3-Pin (2+Tab) - Gate, Drain (tab), Source
Lead-Free / RoHS — Yes (compliant)
Application Segment — Consumer-grade SMPS

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin