IPL60R060CFD7AUMA1 vs IPD60R600P7ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPL60R060CFD7AUMA1 tarafından Infineon ve IPD60R600P7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPL60R060CFD7AUMA1 | IPD60R600P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS™ CFD7 | CoolMOS P7 |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 40 A | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 219 W | — |
| R_DS(on) (max) at V_GS = 10 V | 60 mΩ | — |
| R_DS(on) (typ, datasheet) | 48 mΩ | — |
| Gate Charge (Q_G, typ) at V_GS = 10 V | 79 nC | — |
| Input Capacitance (C_iss) | 3193 pF | — |
| Output Capacitance (C_oss) | 62 pF | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) | ±20 V (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) | 4.5 V | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -40 °C to +150 °C | -55C to +150C (TJ) |
| Paket | PG-VSON-4-1 (Surface Mount) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL Level] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Part Number | — | IPD60R600P7ATMA1 |
| Technology | — | Superjunction (SJ) / CoolMOS |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC) | — | 6 A |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 490 mOhm (max) |
| Power Dissipation (PD, TC) | — | 30 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Paket / Kas | — | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| Generation | — | CoolMOS 7th generation (P7, successor to P6) |
| Ordering Code Suffix | — | ATMA1 = Tape & Reel, 13-inch |