IPL60R085P7AUMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPL60R085P7AUMA1 tarafından Infineon ve IPB60R280P7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPL60R085P7AUMA1 | IPB60R280P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Birim Fiyat (USD) | — | $0,88 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 39 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=100°C) | 24 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 85 mΩ at VGS=10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | 154 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -40 °C to +150 °C | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| ESD Robustness (HBM) | >2 kV (all pins) | — |
| Technology | CoolMOS P7 superjunction (7th generation) | Superjunction (SJ) |
| Paket | PG-VSON-4 (VSON-4, source-down) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | JEDEC industrial | — |
| Polarity | N-channel | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | CoolMOS P7 (600 V) |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | — | 12 A |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | — | 280 mOhm |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | — | 3.5 V |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | — | 53 W |
| Pin Sayısı | — | 3 (2 + Tab) |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 °C to +150 °C (T_j max) |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Lead-Free | — | Yes |
| Generation | — | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) |