IPL60R085P7AUMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPL60R085P7AUMA1 bằng Infineon và IPB60R280P7ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPL60R085P7AUMA1 | IPB60R280P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Giá đơn vị (USD) | — | $0,88 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 39 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=100°C) | 24 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 85 mΩ at VGS=10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | 154 W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -40 °C to +150 °C | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| ESD Robustness (HBM) | >2 kV (all pins) | — |
| Technology | CoolMOS P7 superjunction (7th generation) | Superjunction (SJ) |
| Hộp | PG-VSON-4 (VSON-4, source-down) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | JEDEC industrial | — |
| Polarity | N-channel | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | CoolMOS P7 (600 V) |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | — | 12 A |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | — | 280 mOhm |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | — | 3.5 V |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | — | 53 W |
| Số chân | — | 3 (2 + Tab) |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55 °C to +150 °C (T_j max) |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Lead-Free | — | Yes |
| Generation | — | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) |