IPL60R105P7AUMA1 vs IPL60R065P7AUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPL60R105P7AUMA1 tarafından Infineon ve IPL60R065P7AUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPL60R105P7AUMA1 IPL60R065P7AUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
On-Resistance (RDS(on)) max 105 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (Ptot) at Tc 137 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 3.5 V —
Gate Charge (Qg) typ 45 nC —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C -55 °C to +150 °C (T<sub>j</sub>)
Paket PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) PG-VSON-4 (surface mount with exposed pad)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel N-Channel
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Klorürsüz Yes Yes
Lead-Free Yes —
Technology Family — CoolMOS™ P7 (superjunction)
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 600 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25 °C) — 41 A
On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) — 65 mΩ (max)
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25 °C) — 201 W
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — 3.5 V
Input Capacitance (C<sub>iss</sub>, V<sub>DS</sub>=400 V) — 2895 pF
Rise Time (t<sub>r</sub>) — 7 ns
Fall Time (t<sub>f</sub>) — 4 ns
Pin Sayısı — 4
Polarity — Single N-channel
Drain to Source Voltage — 650 V (rating per AiEMA spec)
R<sub>DS(on)</sub> (max, V<sub>GS</sub>=10 V, T<sub>j</sub>=25 °C) — 0.053 Ω

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin