IPN60R360P7SATMA1 vs IPD80R600P7ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPN60R360P7SATMA1 tarafından Infineon ve IPD80R600P7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPN60R360P7SATMA1 | IPD80R600P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | CoolMOS P7 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET | CoolMOS P7 super-junction |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 800 V |
| On-Resistance RDS(on) max | 360 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 9 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | [DATA_NEEDED: ID at TA=25°C with standard PCB] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 22 A |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 7 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | 3 V (typical) |
| Total Gate Charge (QG) | [DATA_NEEDED: QG typical at VGS=10V] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55°C to +150°C (TJ) | -55 C to +150 C |
| Paket | PG-SOT223 (Surface Mount) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| ESD Protection | Yes (integrated cell) | — |
| Klorürsüz | Yes (per Infineon datasheet) | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Pin Sayısı | 3 functional + tab (PG-SOT223) | — |
| Body Diode | Integrated, fast-recovery | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 8 A |
| On-Resistance (RDS(on), max) | — | 600 mΩ at VGS=10V |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | — | 60 W (Tc) |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±30 V |
| Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) | — | 20 mJ |
| Avalanche Energy, Repetitive (EAR) | — | 0.17 mJ |
| Polarity | — | N-Channel |
| MSL Seviyesi | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |