IPN60R360P7SATMA1 vs IPD80R600P7ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IPN60R360P7SATMA1 bằng Infineon và IPD80R600P7ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPN60R360P7SATMA1 IPN60R360P7SATMA1 - 600V 360mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN60R360P7SATMA1 - 600V 360mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN60R360P7SATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IPD80R600P7ATMA1 IPD80R600P7ATMA1 - 800V 600mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R600P7ATMA1 - 800V 600mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R600P7ATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IPN60R360P7SATMA1 IPD80R600P7ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET CoolMOS P7 super-junction
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 800 V
On-Resistance RDS(on) max 360 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 9 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C [DATA_NEEDED: ID at TA=25°C with standard PCB] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 22 A
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 7 W —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] 3 V (typical)
Total Gate Charge (QG) [DATA_NEEDED: QG typical at VGS=10V] —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55°C to +150°C (TJ) -55 C to +150 C
Hộp PG-SOT223 (Surface Mount) PG-TO252-3 (DPAK)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
ESD Protection Yes (integrated cell) —
Đông trùng haogen Yes (per Infineon datasheet) —
RoHS Compliance Compliant —
Số chân 3 functional + tab (PG-SOT223) —
Body Diode Integrated, fast-recovery —
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 8 A
On-Resistance (RDS(on), max) — 600 mΩ at VGS=10V
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 60 W (Tc)
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) — ±30 V
Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) — 20 mJ
Avalanche Energy, Repetitive (EAR) — 0.17 mJ
Polarity — N-Channel
Cấp MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá