IPP600N25N3GXKSA1 vs IPP075N15N3GXKSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPP600N25N3GXKSA1 tarafından Infineon ve IPP075N15N3GXKSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPP600N25N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) N-Channel MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 250 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 25 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max 60 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 136 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Paket / Kas TO-220-3 (PG-TO220-3-1) —
Montaj Türü Through Hole Through Hole
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (junction) [DATA_NEEDED: junction operating temperature range]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] [DATA_NEEDED: total gate charge]
Reverse Recovery Time (trr) [DATA_NEEDED: trr typical value] —
Lead Free Status Lead Free / RoHS Compliant —
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) —
Product Family — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) — 7.5 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max]
Paket — PG-TO220-3 (TO-220 through-hole)
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Lead-Free / RoHS — RoHS Compliant
Ordering Code Suffix — GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin