IPT008N06NM5LFATMA1 vs BSC016N06NSTATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPT008N06NM5LFATMA1 tarafından Infineon ve BSC016N06NSTATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPT008N06NM5LFATMA1 BSC016N06NSTATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 / Linear FET —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 454 A —
Pulsed Dræn Akımı [DATA_NEEDED: pulsed ID] —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V 0.8 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) 3.6 V (typ, 250 µA test) —
Power Dissipation (Tc) 278 W 167 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C (TJ) -55 C to +150 C
Paket PG-HSOF-8 (single, flat-lead) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Gate Drive (recommended) 10 V (logic-level compatible above 4.5 V VGS) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) OptiMOS 5
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS Durumu Compliant Compliant
REACH Status Compliant —
AEC-Q100 not_qualified (industrial-grade by default) —
Part Number — BSC016N06NSTATMA1
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 31 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) — 1.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Lead-Free — Yes
Series — OptiMOS

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin