IPT008N06NM5LFATMA1 vs BSC016N06NSTATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPT008N06NM5LFATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC016N06NSTATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC016N06NSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1 - 60V OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

BSC016N06NSTATMA1 - 60V OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

BSC016N06NSTATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPT008N06NM5LFATMA1 BSC016N06NSTATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 / Linear FET —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 454 A —
پلسڈ ڈرین کرنٹ [DATA_NEEDED: pulsed ID] —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V 0.8 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) 3.6 V (typ, 250 µA test) —
Power Dissipation (Tc) 278 W 167 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C (TJ) -55 C to +150 C
پیکیج PG-HSOF-8 (single, flat-lead) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Gate Drive (recommended) 10 V (logic-level compatible above 4.5 V VGS) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) OptiMOS 5
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
REACH Status Compliant —
AEC-Q100 not_qualified (industrial-grade by default) —
Part Number — BSC016N06NSTATMA1
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 31 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) — 1.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Lead-Free — Yes
Series — OptiMOS

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں