IPT008N06NM5LFATMA1 vs BSC016N06NSTATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPT008N06NM5LFATMA1 מאת Infineon ו BSC016N06NSTATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IPT008N06NM5LFATMA1 - 60V 454A 0.8mΩ N-Ch MOSFET HSOF-8 | Infineon
IPT008N06NM5LFATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IPT008N06NM5LFATMA1 | BSC016N06NSTATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 5 / Linear FET | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 454 A | — |
| זרם ניקוז פועם | [DATA_NEEDED: pulsed ID] | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V | 0.8 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) | 3.6 V (typ, 250 µA test) | — |
| Power Dissipation (Tc) | 278 W | 167 W |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55 C to +150 C |
| מארז | PG-HSOF-8 (single, flat-lead) | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Drive (recommended) | 10 V (logic-level compatible above 4.5 V VGS) | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 5) | OptiMOS 5 |
| רמת MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| REACH Status | Compliant | — |
| AEC-Q100 | not_qualified (industrial-grade by default) | — |
| Part Number | — | BSC016N06NSTATMA1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | — | 31 A |
| On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) | — | 1.6 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Lead-Free | — | Yes |
| Series | — | OptiMOS |