IPT015N10NF2SATMA1 vs ISC028N03LF2SATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPT015N10NF2SATMA1 tarafından Infineon ve ISC028N03LF2SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPT015N10NF2SATMA1 | ISC028N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 315 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 35 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 1.5 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | 3.8 V at 267 µA | — |
| Total Power Dissipation (Ta) | 3.8 W | — |
| Total Power Dissipation (Tc) | 300 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +175 °C | — |
| Paket | PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) | PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS trench, N-channel enhancement | — |
| Gate Drive Voltage (typ) | 10 V | — |
| Tek Darbe Yıldırım Enerjisi | [DATA_NEEDED: EAS value] | — |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 5 30V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 128 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 2.8 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.35 V |
| Power Dissipation at TA | — | 3 W |
| Power Dissipation at TC | — | 83 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 C to +175 C |
| RoHS / Lead-Free | — | Yes (RoHS compliant) |
| MSL Seviyesi | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |