IPT015N10NF2SATMA1 vs ISC028N03LF2SATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPT015N10NF2SATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC028N03LF2SATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPT015N10NF2SATMA1 | ISC028N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 315 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 35 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 1.5 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | 3.8 V at 267 µA | — |
| Total Power Dissipation (Ta) | 3.8 W | — |
| Total Power Dissipation (Tc) | 300 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +175 °C | — |
| پیکیج | PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) | PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS trench, N-channel enhancement | — |
| Gate Drive Voltage (typ) | 10 V | — |
| سنگل پلس ایوالانچ انرجی | [DATA_NEEDED: EAS value] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 5 30V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 128 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 2.8 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.35 V |
| Power Dissipation at TA | — | 3 W |
| Power Dissipation at TC | — | 83 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 C to +175 C |
| RoHS / Lead-Free | — | Yes (RoHS compliant) |
| MSL لیول | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |