IPTC017N12NM6ATMA1 vs ISC037N12NM6ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPTC017N12NM6ATMA1 tarafından Infineon ve ISC037N12NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPTC017N12NM6ATMA1 ISC037N12NM6ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology OptiMOS 6, N-channel trench MOSFET OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 32 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 331 A —
On-State Resistance RDS(on) max 1.7 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-Source Threshold VGS(th) 2.4 V (typ) —
Total Gate Charge QG 141 nC at VGS = 10 V —
Input Capacitance Ciss 2.4 nF at VDS = 60 V —
Output Capacitance Coss 11000 pF at VDS = 60 V —
Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Power Dissipation (Tc) 395 W —
Paket PG-HDSOP-16 (Surface Mount) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -55 °C to +175 °C (TJ max) —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (Vds) — 120 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C — 19.2 A
Pulsed Drain Current (Idm) at Tc — 163 A
On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V — 3.7 mOhm
Power Dissipation at Ta — 3 W
Power Dissipation at Tc — 214 W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C (junction)
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin