IPTC017N12NM6ATMA1 vs ISC037N12NM6ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPTC017N12NM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC037N12NM6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPTC017N12NM6ATMA1 | ISC037N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Technology | OptiMOS 6, N-channel trench MOSFET | OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 32 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 331 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max | 1.7 mΩ at VGS = 10 V | — |
| Gate-Source Threshold VGS(th) | 2.4 V (typ) | — |
| Total Gate Charge QG | 141 nC at VGS = 10 V | — |
| Input Capacitance Ciss | 2.4 nF at VDS = 60 V | — |
| Output Capacitance Coss | 11000 pF at VDS = 60 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3.8 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 395 W | — |
| پیکیج | PG-HDSOP-16 (Surface Mount) | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -55 °C to +175 °C (TJ max) | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 120 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | — | 19.2 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) at Tc | — | 163 A |
| On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V | — | 3.7 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 214 W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] |
| Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55C to +175C (junction) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse) |
| MSL لیول | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |