IPTC054N15NM5ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPTC054N15NM5ATMA1 tarafından Infineon ve ISC011N04NM7VATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPTC054N15NM5ATMA1 ISC011N04NM7VATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 (IPT family) —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 17.5 A 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 143 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 250 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V, ID=50A 5.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) typical 58 nC —
Forward Body Diode Voltage (VSD) 0.83 V —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C —
Paket PG-HDSOP-16-2 (16-pin top-cooled) PG-TDSON-8 (source-down)
Montaj Türü Surface Mount (top-side cooled) Surface Mount
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free Yes —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
Product Family — OptiMOS 7 Power-Transistor
Continuous Drain Current (ID) at TC — 256 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.1 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 136 W
Gate Threshold Voltage (Vth) — Up to 3.2 V
Technology — Trench MOSFET, silicon
Short-Circuit Withstand — Yes (current-limited)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 °C to +175 °C (TJ)
RoHS Compliance — Compliant (per Infineon product page)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin