IPTC054N15NM5ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPTC054N15NM5ATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC011N04NM7VATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
ISC011N04NM7VATMA1 ISC011N04NM7VATMA1 - 40V 1.1mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

ISC011N04NM7VATMA1 - 40V 1.1mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

ISC011N04NM7VATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPTC054N15NM5ATMA1 ISC011N04NM7VATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 (IPT family) —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 17.5 A 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 143 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 250 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V, ID=50A 5.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) typical 58 nC —
Forward Body Diode Voltage (VSD) 0.83 V —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +175 °C —
پیکیج PG-HDSOP-16-2 (16-pin top-cooled) PG-TDSON-8 (source-down)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount (top-side cooled) Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Lead-Free Yes —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
Product Family — OptiMOS 7 Power-Transistor
Continuous Drain Current (ID) at TC — 256 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.1 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 136 W
Gate Threshold Voltage (Vth) — Up to 3.2 V
Technology — Trench MOSFET, silicon
Short-Circuit Withstand — Yes (current-limited)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 °C to +175 °C (TJ)
RoHS Compliance — Compliant (per Infineon product page)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں