IQD020N10NM5CGATMA1 vs IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQD020N10NM5CGATMA1 tarafından Infineon ve IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IQD020N10NM5CGATMA1 - 100V 2.0mΩ OptiMOS™ 5 N-MOSFET | Infineon
IQD020N10NM5CGATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IQD020N10NM5CGATMA1 | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Technology | OptiMOS™ 5 N-channel trench MOSFET | OptiMOS 5 Power-Transistor |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 25 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 26 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | [DATA_NEEDED: ID at TC=25°C from datasheet curve] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25°C | 273 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | 2.0 mΩ (at VGS=10V) | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 333 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55°C to +175°C | — |
| Paket | PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating from datasheet] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Qualification | Industrial grade (Infineon OptiMOS™ 5 family) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 75 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 789 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 278 W |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | — | 0.29 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 2 V (typ) |
| Pin Sayısı | — | 9 |
| Cooling | — | Dual-side exposed pad (top + bottom) |