IQD020N10NM5CGATMA1 vs IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IQD020N10NM5CGATMA1 מאת Infineon ו IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IQD020N10NM5CGATMA1 | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Technology | OptiMOS™ 5 N-channel trench MOSFET | OptiMOS 5 Power-Transistor |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 25 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 26 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | [DATA_NEEDED: ID at TC=25°C from datasheet curve] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25°C | 273 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | 2.0 mΩ (at VGS=10V) | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 333 W | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55°C to +175°C | — |
| מארז | PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating from datasheet] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Qualification | Industrial grade (Infineon OptiMOS™ 5 family) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 75 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 789 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 278 W |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | — | 0.29 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 2 V (typ) |
| מספר פינים | — | 9 |
| Cooling | — | Dual-side exposed pad (top + bottom) |