IQDH35N03LM5SCATMA1 vs IQE020N04LM6CGSCATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQDH35N03LM5SCATMA1 tarafından Infineon ve IQE020N04LM6CGSCATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQDH35N03LM5SCATMA1 IQE020N04LM6CGSCATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) OptiMOS 6 trench
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 66 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 700 A —
On-State Resistance (RDS(on)) max 0.35 mOhm @ VGS=10V —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 278 W —
Paket PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm Source-Down dual-side cooled)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C -55 °C to +150 °C (junction, per Infineon MOSFET convention)
MSL Seviyesi 1 (unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020 for similar PQFN MOSFETs)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Marking IQDH35N03LM5S —
Part Family — OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current at TA=25°C — 25 A
Continuous Drain Current at TC=25°C — 166 A
Maximum RDS(on) — 2.0 mΩ (per IQE part-number decode)
Power Dissipation at TA=25°C — 2.5 W
Power Dissipation at TC=25°C — 107 W
Pin Sayısı — 9
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin