IQDH35N03LM5SCATMA1 vs IQE020N04LM6CGSCATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQDH35N03LM5SCATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE020N04LM6CGSCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IQE020N04LM6CGSCATMA1 - 40V OptiMOS 6 2.0mΩ N-MOSFET, PG-WHTFN-9
IQE020N04LM6CGSCATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQDH35N03LM5SCATMA1 | IQE020N04LM6CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) | OptiMOS 6 trench |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 30 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 66 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 700 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 0.35 mOhm @ VGS=10V | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 278 W | — |
| پیکیج | PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +175 C | -55 °C to +150 °C (junction, per Infineon MOSFET convention) |
| MSL لیول | 1 (unlimited) | 1 (per JEDEC J-STD-020 for similar PQFN MOSFETs) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Marking | IQDH35N03LM5S | — |
| Part Family | — | OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current at TA=25°C | — | 25 A |
| Continuous Drain Current at TC=25°C | — | 166 A |
| Maximum RDS(on) | — | 2.0 mΩ (per IQE part-number decode) |
| Power Dissipation at TA=25°C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC=25°C | — | 107 W |
| پن کی تعداد | — | 9 |
| Lead-Free | — | Yes |