IQDH88N06LM5CGSCATMA1 vs IQE050N08NM5CGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQDH88N06LM5CGSCATMA1 tarafından Infineon ve IQE050N08NM5CGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQE050N08NM5CGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 (trench) OptiMOS 5 (Source-Down)
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 60 V —
Continuous Drain Current (Ta=25°C) 42 A —
Devamlı Akım Akışı (TC=25°C) 447 A —
On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V 0.86 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 3 W —
Güç Tüketimi (TC=25°C) 333 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate Charge Qg typical [DATA_NEEDED: Qg typical nC] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +175°C (TJ) —
Paket PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) PG-TTFN-9-1 (Surface Mount)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 9 (with exposed pad) —
Cooling Dual-side cooling capable —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS Durumu Compliant Compliant
Polarity N-Channel —
Configuration Single —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (Ta) — 16 A
Continuous Drain Current (Tc) — 101 A
On-Resistance RDS(on) Max — 5.0 mΩ
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 100 W
Gate Threshold Vgs(th) Typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
İşletim Sıcaklığı — -55°C to +175°C (TJ max)
Total Gate Charge Qg Typ — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin