IQDH88N06LM5CGSCATMA1 vs IQE050N08NM5CGATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQDH88N06LM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE050N08NM5CGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 - 80V N-Ch MOSFET 5mΩ Source-Down | Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQDH88N06LM5CGSCATMA1 | IQE050N08NM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench) | OptiMOS 5 (Source-Down) |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta=25°C) | 42 A | — |
| مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=25°C) | 447 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V | 0.86 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | 3 W | — |
| پاور ڈسپیشن (TC=25°C) | 333 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Gate Charge Qg typical | [DATA_NEEDED: Qg typical nC] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55°C to +175°C (TJ) | — |
| پیکیج | PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) | PG-TTFN-9-1 (Surface Mount) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پن کی تعداد | 9 (with exposed pad) | — |
| Cooling | Dual-side cooling capable | — |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Polarity | N-Channel | — |
| Configuration | Single | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 16 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 101 A |
| On-Resistance RDS(on) Max | — | 5.0 mΩ |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 100 W |
| Gate Threshold Vgs(th) Typ | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | -55°C to +175°C (TJ max) |
| Total Gate Charge Qg Typ | — | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical] |