IQE004NE1LM7CGATMA1 vs ISC058N04NM5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQE004NE1LM7CGATMA1 tarafından Infineon ve ISC058N04NM5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IQE004NE1LM7CGATMA1 IQE004NE1LM7CGATMA1 - 15V OptiMOS 7 0.45mOhm N-FET | Infineon

IQE004NE1LM7CGATMA1 - 15V OptiMOS 7 0.45mOhm N-FET | Infineon

IQE004NE1LM7CGATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQE004NE1LM7CGATMA1 ISC058N04NM5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 —
Technology N-Channel Trench Power MOSFET OptiMOS 5 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 15 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, TA=25C) 58 A —
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 379 A —
Power Dissipation (TA=25C) 2.1 W 3 W
Power Dissipation (TC=25C) 89 W 42 W
On-Resistance RDS(on) max 0.45 mOhm at VGS=10 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Paket PG-TTFN-9-3 (surface mount) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -55C to +150C (junction) —
RoHS Durumu Compliant —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Packaging Tape & Reel (CGATMA1 suffix) —
Polarization N-Channel —
Product Family — OptiMOS 5 40V Normal Level
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 63 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 17 A
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V, ID=31A — 5.8 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.4 V
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C
RoHS Compliance — RoHS Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL per JEDEC J-STD-020
Gate Drive Level — Normal Level (10V VGS recommended)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin