IQE004NE1LM7CGATMA1 vs ISC058N04NM5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE004NE1LM7CGATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC058N04NM5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IQE004NE1LM7CGATMA1 IQE004NE1LM7CGATMA1 - 15V OptiMOS 7 0.45mOhm N-FET | Infineon

IQE004NE1LM7CGATMA1 - 15V OptiMOS 7 0.45mOhm N-FET | Infineon

IQE004NE1LM7CGATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IQE004NE1LM7CGATMA1 ISC058N04NM5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 —
Technology N-Channel Trench Power MOSFET OptiMOS 5 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 15 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, TA=25C) 58 A —
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 379 A —
Power Dissipation (TA=25C) 2.1 W 3 W
Power Dissipation (TC=25C) 89 W 42 W
On-Resistance RDS(on) max 0.45 mOhm at VGS=10 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
پیکیج PG-TTFN-9-3 (surface mount) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت -55C to +150C (junction) —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Packaging Tape & Reel (CGATMA1 suffix) —
Polarization N-Channel —
Product Family — OptiMOS 5 40V Normal Level
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 63 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 17 A
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V, ID=31A — 5.8 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.4 V
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +175C
RoHS Compliance — RoHS Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL per JEDEC J-STD-020
Gate Drive Level — Normal Level (10V VGS recommended)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں