IQE018N06NM6CGATMA1 vs IQE031N08LM6CGSCATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQE018N06NM6CGATMA1 tarafından Infineon ve IQE031N08LM6CGSCATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IQE018N06NM6CGATMA1 IQE018N06NM6CGATMA1 - 60V 178A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6CGATMA1 - 60V 178A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6CGATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQE018N06NM6CGATMA1 IQE031N08LM6CGSCATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 60V OptiMOS 6 (40 V to 100 V)
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 60 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 178 A —
Continuous Drain Current (I_D, Ta) 25 A —
R_DS(on) max (V_GS=10 V) 1.8 mΩ —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.3 V (logic-level compatible) —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 125 W —
Paket PG-TTFN-9-3 (TOLL/TTFN) PG-WHTFN-9 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center-Gate)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (junction) -55 C to +175 C (junction, typical for OptiMOS 6)
Technology Trench MOSFET, OptiMOS 6 —
RoHS Compliance Compliant —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS max) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 127 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 125 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-State Resistance RDS(on) max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10 V]
Gate Drive Level — Logic-level
Avalanche Tested — 100% avalanche tested
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for Infineon PQFN)
RoHS Durumu — Compliant
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin