IQE022N06LM5CGATMA1 vs IRFH5015TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQE022N06LM5CGATMA1 tarafından Infineon ve IRFH5015TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQE022N06LM5CGATMA1 IRFH5015TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS 5 —
Technology N-Channel Power MOSFET (Enhancement Mode) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (V_DS) 60 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_A=25C 24 A —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C 151 A —
R_DS(on) (typical, V_GS=10V) 2.2 mΩ —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) value] —
Total Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: Q_G value] —
Power Dissipation (T_A) 2.5 W —
Power Dissipation (T_C) 100 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C —
Paket PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 mm) 8-PQFN (5x6) SuperSO8
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 9 (with exposed thermal pad) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 10 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 56 A
On-Resistance (RDS(on)) max — 31 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 33 nC
Power Dissipation (TA=25C) — 3.6 W
Power Dissipation (TC=25C) — 156 W
Gate Drive Voltage (VGS recommended) — 10 V
Configuration — Single with built-in body diode
İşletim Sıcaklığı — -55C to +150C (TJ max)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin