IQE065N10NM5CGSCATMA1 vs IQDH88N06LM5CGSCATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQE065N10NM5CGSCATMA1 tarafından Infineon ve IQDH88N06LM5CGSCATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IQE065N10NM5CGSCATMA1 | IQDH88N06LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25 C | 85 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 13 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 6.5 mOhm | — |
| Power Dissipation at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC | 100 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Paket | PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) | PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 trench-gate | OptiMOS 5 (trench) |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +150 C | -55°C to +175°C (TJ) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (Ta=25°C) | — | 42 A |
| Devamlı Akım Akışı (TC=25°C) | — | 447 A |
| On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V | — | 0.86 mΩ |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | — | 3 W |
| Güç Tüketimi (TC=25°C) | — | 333 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate Charge Qg typical | — | [DATA_NEEDED: Qg typical nC] |
| Pin Sayısı | — | 9 (with exposed pad) |
| Cooling | — | Dual-side cooling capable |
| MSL Seviyesi | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Polarity | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single |