IQE065N10NM5CGSCATMA1 vs IQDH88N06LM5CGSCATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQE065N10NM5CGSCATMA1 بواسطة Infineon و IQDH88N06LM5CGSCATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IQE065N10NM5CGSCATMA1 | IQDH88N06LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25 C | 85 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 13 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 6.5 mOhm | — |
| Power Dissipation at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC | 100 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| العلبة | PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) | PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 trench-gate | OptiMOS 5 (trench) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +150 C | -55°C to +175°C (TJ) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (Ta=25°C) | — | 42 A |
| تيار التصريف المستمر (TC=25°C) | — | 447 A |
| On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V | — | 0.86 mΩ |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | — | 3 W |
| تبديد القدرة (TC=25°C) | — | 333 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate Charge Qg typical | — | [DATA_NEEDED: Qg typical nC] |
| عدد الأطراف | — | 9 (with exposed pad) |
| Cooling | — | Dual-side cooling capable |
| مستوى MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Polarity | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single |