IQE065N10NM5CGSCATMA1 vs IQDH88N06LM5CGSCATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IQE065N10NM5CGSCATMA1 توسط Infineon و IQDH88N06LM5CGSCATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IQE065N10NM5CGSCATMA1 | IQDH88N06LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25 C | 85 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 13 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 6.5 mOhm | — |
| Power Dissipation at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC | 100 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| بسته‌بندی | PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) | PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 trench-gate | OptiMOS 5 (trench) |
| محدوده دمای کاری | -55 C to +150 C | -55°C to +175°C (TJ) |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (Ta=25°C) | — | 42 A |
| جریان پیوسته درین (TC=25°C) | — | 447 A |
| On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V | — | 0.86 mΩ |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | — | 3 W |
| اتلاف توان (TC=25°C) | — | 333 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate Charge Qg typical | — | [DATA_NEEDED: Qg typical nC] |
| تعداد پایه | — | 9 (with exposed pad) |
| Cooling | — | Dual-side cooling capable |
| سطح MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Polarity | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single |