IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 vs IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 tarafından Infineon ve IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V 440A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V 440A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 IQEH50NE2LM7ZCGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 7 (trench) OptiMOS 7 (Trench-Gate)
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 440 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 57 A —
Power Dissipation at TA 2.5 W —
Power Dissipation at TC 150 W —
Maximum On-Resistance (RDS(on)) 0.46 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V —
Paket PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down) PG-TTFN-9-3
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Polarity / Channel Type Single N-Channel N-Channel
Operating Mode Enhancement-mode —
Topology Suitability Hard- and soft-switching —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 7 Power-Transistor
Drain-Source Voltage (Vds) Max — 25 V
Continuous Drain Current (Ta) — 54 A
Continuous Drain Current (Tc) — 422 A
Maximum On-Resistance (Rds(on)) — 0.5 mOhm
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 1.7 V
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 150 W
Maximum Junction Temperature — +175 degrees C
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 degrees C to +175 degrees C
Qualification — Industrial grade per Infineon datasheet

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin