IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 vs IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 توسط Infineon و IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 - 25V 422A OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 | IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 7 (trench) | OptiMOS 7 (Trench-Gate) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 440 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 57 A | — |
| Power Dissipation at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC | 150 W | — |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) | 0.46 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V | — |
| بسته‌بندی | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down) | PG-TTFN-9-3 |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Polarity / Channel Type | Single N-Channel | N-Channel |
| Operating Mode | Enhancement-mode | — |
| Topology Suitability | Hard- and soft-switching | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Drain-Source Voltage (Vds) Max | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 54 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 422 A |
| Maximum On-Resistance (Rds(on)) | — | 0.5 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 1.7 V |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 150 W |
| Maximum Junction Temperature | — | +175 degrees C |
| محدوده دمای کاری | — | -55 degrees C to +175 degrees C |
| Qualification | — | Industrial grade per Infineon datasheet |