IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 vs IQE020N04LM6CGSCATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 tarafından Infineon ve IQE020N04LM6CGSCATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 IQE020N04LM6CGSCATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA 54 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 422 A —
RDS(on) Max 0.5 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 2 V —
Power Dissipation (PD) at TA 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC 150 W —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Paket PG-WHTFN-9-1 (surface mount) PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm Source-Down dual-side cooled)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Series OptiMOS 7 —
Technology Silicon N-Channel Power MOSFET OptiMOS 6 trench
Part Family — OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current at TA=25°C — 25 A
Continuous Drain Current at TC=25°C — 166 A
Maximum RDS(on) — 2.0 mΩ (per IQE part-number decode)
Power Dissipation at TA=25°C — 2.5 W
Power Dissipation at TC=25°C — 107 W
Pin Sayısı — 9
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 °C to +150 °C (junction, per Infineon MOSFET convention)
RoHS Durumu — Compliant
Lead-Free — Yes
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020 for similar PQFN MOSFETs)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin